[发明专利]氮化镓纳米线感光单元、制作方法、紫外线探测器在审
| 申请号： | 201811290363.8 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109616542A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 檀满林;付晓宇;田勇 | 申请（专利权）人： | 深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅;郑海威 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化镓纳米线感光单元的制作方法，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板一侧形成一层氮掺杂的氧化镓材料层；以所述氮掺杂的氧化镓材料层为基层制作一氮化镓层，所述氮化镓层包括多条氮化镓纳米线；以及，在所述氮化镓层远离所述基板一侧形成至少两个间隔设置的金属电极。本发明还提供一种氮化镓纳米线感光单元以及一种紫外线探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓纳米线 氮化镓层 感光单元 基板 紫外线探测器 材料层 氮掺杂 氧化镓 基层制作 间隔设置 金属电极 制作 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓纳米线感光单元的制作方法，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板一侧形成一层氮掺杂的氧化镓材料层；以所述氮掺杂的氧化镓材料层为基层制作一氮化镓层，所述氮化镓层包括多条氮化镓纳米线；在所述氮化镓层远离所述基板一侧形成至少两个间隔设置的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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