[发明专利]一种降低阻变存储器操作电压的方法及其阻变存储器在审
| 申请号： | 201811279385.4 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109411600A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李颖弢;李晓燕 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术以及存储器器件领域，公开了一种降低阻变存储器操作电压的方法，该方法是采用在阻变存储器的上电极与下电极之间的阻变存储层内嵌入一层氧化石墨烯量子点层的缓冲层。本发明将新型二维材料的石墨烯或石墨烯基材料氧化石墨烯量子点层（GOQDs）作为缓冲层引入两层金属氧化物薄膜之间，充当从电极注入的载流子的捕获中心，加强阻变存储层中的内部电场，以加强和稳定局部导电细丝的生长，降低器件的操作电压。本发明提供的阻变存储器结构和制造工艺简单、制作成本低并且与传统CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 操作电压 氧化石墨烯 阻变存储层 量子点层 缓冲层 电极 载流子 金属氧化物薄膜 阻变存储器结构 石墨烯基材料 存储器器件 微电子技术 导电细丝 二维材料 降低器件 内部电场 制造工艺 石墨烯 下电极 两层 捕获 嵌入 兼容 生长 引入 制作 | ||
【主权项】：
1.一种降低阻变存储器操作电压的方法，其特征在于：该方法是采用在阻变存储器的上电极与下电极之间的阻变存储层内嵌入一层氧化石墨烯量子点层的缓冲层。
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