[发明专利]过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p‑n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p‑n结有效降低了p‑n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。

主权项

1.一种过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池，其特征在于，所述横向同质结太阳能电池包括绝缘衬底(1)、电极A(2)、电极B(3)、n型过渡金属硫族化合物膜(4)和p型过渡金属硫族化合物膜(5)；所述电极A(2)和电极B(3)位于绝缘衬底(1)的绝缘表面，且电极A(2)和电极B(3)相互不接触；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)的一部分位于电极A(2)的上部，使部分电极A(2)与n型过渡金属硫族化合物膜(4)接触；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)位于电极A(2)上部以外的部分位于绝缘衬底(1)绝缘表面上；所述p型过渡金属硫族化合物膜(5)的一部分位于电极B(3)上部，使部分电极B(3)与p型过渡金属硫族化合物膜(5)接触；所述p型过渡金属硫族化合物膜(5)位于电极B(3)上部以外的部分位于绝缘衬底(1)绝缘表面上；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)和p型过渡金属硫族化合物膜(5)在绝缘衬底(1)绝缘表面上横向连接形成p‑n结；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)和p型过渡金属硫族化合物膜(5)由相同过渡金属硫族化合物组成。