[发明专利]一种利用PMOS工艺偏差的弱物理不可克隆函数电路有效
| 申请号： | 201811207852.2 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109241782B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 汪鹏君;李刚;张会红;张跃军 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G06F21/73 | 分类号： | G06F21/73 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用PMOS工艺偏差的弱物理不可克隆函数电路，包括译码电路、时序控制电路、PUF单元阵列和n个共享脚电路，PUF单元阵列由m×n个PUF单元按照m行n列的方式排布形成，PUF单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管且四个PMOS管的宽长比均为TSMC 65nm工艺下的最小尺寸：120nm/60nm，每个共享脚电路分别包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一二输入与非门和第二二输入与非门，四个NMOS管的宽长比的取值范围为：2um/60nm～8um/60nm；优点是在具有复位功能的基础上，面积较小，功耗较低，且时延较小，速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 pmos 工艺 偏差 物理 不可 克隆 函数 电路 | ||
【主权项】：
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