[发明专利]一种LED调光负载突变抑制电路在审
| 申请号： | 201811178584.6 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109121257A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李云峰;修利平 | 申请（专利权）人： | 矽恩微电子（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/08 | 分类号： | H05B33/08 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 渠述华 |
| 地址： | 361005 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED调光负载突变抑制电路，其应用于一LED调光电路中；所述LED调光负载突变抑制电路包括MOS管Q1、采样电阻R1、误差放大器U1和DC‑DC模块U2。本发明能保证LED调光电路的总电流恒定，避免LED灯的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 负载突变 抑制电路 恒定 误差放大器 采样电阻 总电流 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种LED调光负载突变抑制电路，其应用于一LED调光电路中，所述LED调光电路包括多个串联的LED灯串，每个LED灯串包括多个串联的LED灯D1，每个LED灯串并联有一个开关电路SW；所述LED调光电路并联有一电容C1；其特征在于：所述一种LED调光负载突变抑制电路包括：MOS管Q1，其用于根据输入到其栅极的电压信号来调节所述LED调光电路的总电流；采样电阻R1，其用于检测所述LED调光电路的总电流；误差放大器U1，其用于将采样电阻R1两端的电压与一第一基准电压VREF1进行比较以产生第一误差信号来输出到MOS管Q1的栅极；DC‑DC模块U2，其用于根据MOS管Q1的漏极和源极之间的电压来控制输入到所述LED调光电路和所述MOS管Q1的总输入电压。
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