[发明专利]一种CZTSSe薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810994145.6 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110872101A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 吉成龙 | 申请（专利权）人： | 吉成龙 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225800 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜制造领域内的一种CZTSSe薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）、将将通的卤化物和有机溶剂A进行搅拌得到溶液A；（2）、将硫化钠和有机溶剂B进行搅拌得到溶液B；（3）、溶液A和溶液B进行搅拌后得到硫化铜纳米颗粒；（4）、硫化铜纳米颗粒加入硫源和有机溶剂得到前驱体浆料；（5）、前驱体浆料和基地进行涂膜得到湿膜；（6）、湿膜经过干燥处理得到干膜；（7）、干膜经过硫化处理得到CZTS薄膜；（8）、CZTS薄膜进行硒化处理得到CZTSSe薄膜；湿膜经过干燥处理得到干膜；干膜经过硫化处理得到CZTS薄膜；CZTS薄膜进行硒化处理得到CZTSSe薄膜，可以使得CZTSSe薄膜制备工艺更加简单，制备难度降低，并且保证CZTSSe薄膜的品质的同时提高其产量，本发明可以用于CZTSSe薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cztsse 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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