[发明专利]监测装置和包括该装置的半导体制造装置在审
| 申请号： | 201810987117.1 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109755153A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 梁裕信;柳成润;李衒;朴圭焕;李相吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;高丽大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体器件的装置。用于制造半导体器件的装置可以包括：质量流量控制器，该质量流量控制器被配置为控制供应到工艺室的工艺气体的流率，质量流量控制器被配置为响应于校正信号而调节离开质量流量控制器的工艺气体的流出流率，该校正信号基于流入质量流量控制器的工艺气体的流入流率与参考流率之间的差而产生；传感器，配置为测量工艺室内部的室压力；排气阀，配置为调节从工艺室排出的排出气体的排气速度；以及监测装置，配置为基于校正信号、室压力和排气阀的排气速度来检测质量流量控制器的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 质量流量控制器 流率 工艺气体 配置 半导体器件 监测装置 校正信号 工艺室 排气阀 室压力 排气 半导体制造装置 测量工艺 控制供应 排出气体 传感器 室内部 排出 制造 流出 参考 检测 响应 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的装置，所述装置包括：质量流量控制器，被配置为控制供应到工艺室的工艺气体的流率，所述质量流量控制器被配置为响应于校正信号来调节离开所述质量流量控制器的所述工艺气体的流出流率，所述校正信号基于流入所述质量流量控制器的所述工艺气体的流入流率与参考流率之间的差产生；传感器，配置为测量所述工艺室内部的室压力；排气阀，配置为调节从所述工艺室排出的排出气体的排气速度；和监测装置，配置为基于所述校正信号、所述室压力和所述排气阀的排气速度来检测所述质量流量控制器的缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
