[发明专利]倒漏斗形硅基实心微针阵列的制备方法

摘要

本发明提出一种倒漏斗形硅基实心微针阵列的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶硅片上沉积正面氮化硅保护膜和反面氮化硅保护膜；2)在正面氮化硅保护膜上旋涂光刻胶进行光刻，光刻后的光刻胶形成阵列状的圆形遮挡胶膜；3)干法刻蚀掉暴露在遮挡胶膜外的正面氮化硅保护膜，露出单晶硅片；4)利用电感耦合等离子体刻蚀系统，采用深硅刻蚀Bosch工艺，对单晶硅片进行各向异性刻蚀，在单晶硅片上刻蚀出阵列状的圆柱体；5)去除单晶硅片上遮挡胶膜；6)利用酸性腐蚀液对单晶硅片进行各向同性湿法腐蚀，得到微针阵列。本发明可实现高深宽比、针尖直径与长度可控的倒漏斗形结构的实心微针阵列加工。

主权项

1.一种倒漏斗形硅基实心微针阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选取(100)晶面、双面抛光单晶硅片，在单晶硅片的正面沉积正面氮化硅保护膜，在单晶硅片的反面沉积反面氮化硅保护膜；2)在正面氮化硅保护膜上旋涂光刻胶，利用光刻工艺将掩模板图形转移到光刻胶上，掩膜版的图形为阵列状的圆形斑点，光刻后的光刻胶形成阵列状的圆形遮挡胶膜；3)干法刻蚀掉暴露在遮挡胶膜外的正面氮化硅保护膜，露出单晶硅片；4)利用电感耦合等离子体刻蚀系统，采用深硅刻蚀Bosch工艺，对步骤3露出的单晶硅片进行各向异性刻蚀，在单晶硅片上刻蚀出阵列状的圆柱体；5)去除单晶硅片上遮挡胶膜；6)利用酸性腐蚀液对步骤5后的单晶硅片进行各向同性湿法腐蚀，得到微针阵列。