[发明专利]磁阻装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201810936272.0 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110838541B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 巫建勋;李建辉;萧智仁;陈永祥 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻装置及其形成方法，该磁阻装置包含磁阻、保护层、第一导电结构、以及第二导电结构。磁阻设置于衬底之上，并且保护层形成于部分磁阻上。第一导电结构设置于保护层结构上，包含下阻挡层和设置于下阻挡层上的金属层。第二导电结构设置于衬底之上并部分覆盖磁阻，且第二导电结构包含上述下阻挡层和上述金属层。本发明利用在磁阻材料层上形成保护材料层，接着将磁阻材料层和保护材料层一起图案化，保护层只有形成在磁阻上，未覆盖其他区域。因此，在后续的工艺中，保护层不再会从磁阻的图案边缘裂开，这避免了磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题，进而提升磁阻装置的制造良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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