[发明专利]外延腔体的基座调节装置和方法有效
申请号: | 201810840352.6 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109037137B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 蔡凯光 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种外延腔体的基座调节装置,包括:基座,基座底部的升降装置;X和Y手臂调整座和升降装置的底部连接;设置在X和Y手臂调整座上的X轴和Y轴旋转螺杆,X轴和Y轴旋转螺杆分别使X和Y手臂调整座沿X轴和Y轴方向移动,并实现对基座的顶部表面的倾角会相应调节;在X轴旋转螺杆上设置有第一深度规,在Y轴旋转螺杆上设置有第二深度规;第一深度规读取并控制X和Y手臂调整座的X方向移动距离,第二深度规读取并控制X和Y手臂调整座的Y方向移动距离。本发明还公开了一种外延腔体的基座调节方法。本发明能在外延腔体外部精确控制并调节基座的倾角,从而能缩短基座倾角的调节时间;能减少开腔次数,提高外延腔体的工艺条件。 | ||
搜索关键词: | 外延 基座 调节 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种外延腔体的基座调节装置,其特征在于,包括:设置在外延腔体中的基座,所述基座表面用于放置用于进行外延生长的晶圆;设置在所述基座的底部的升降装置,所述升降装置用于控制所述基座的升降,外延生长时所述外延腔体呈密封结构,所述升降装置的底部延伸到所述外延腔体的密封结构的底部;X和Y手臂调整座,和所述升降装置的底部连接;设置在所述X和Y手臂调整座上的X轴旋转螺杆和Y轴旋转螺杆,所述X轴旋转螺杆推动或拉扯所述X和Y手臂调整座沿X轴方向移动,所述Y轴旋转螺杆推动或拉扯所述X和Y手臂调整座沿Y轴方向移动;所述X和Y手臂调整座在沿X轴或Y轴方向移动时带动所述升降装置做相应的移动,所述基座的顶部表面和所述升降装置的轴线垂直,所述升降装置移动时所述基座的顶部表面的倾角会相应调节;在所述X轴旋转螺杆上设置有第一深度规,在所述Y轴旋转螺杆上设置有第二深度规;通过所述第一深度规读取并控制所述X和Y手臂调整座的X方向移动距离,通过所述第二深度规读取并控制所述X和Y手臂调整座的Y方向移动距离,通过对所述X和Y手臂调整座的X方向移动距离和Y方向移动距离的控制调节所述基座的顶部表面的倾角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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