[发明专利]硅晶片的电阻率测量方法有效
| 申请号： | 201810833673.3 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109307804B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 斋藤广幸;木村珠美;松村尚 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 殷超;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明准确地求出仅掺杂剂的电阻率。具备：求出硅晶片（W）具有的氧浓度与热施主量的关系式的步骤；对于收容在纵型船形容器（1）中的制造对象的硅晶片（W）实施通过用纵型热处理炉（2）进行热处理而将热施主消除的施主消除处理、将前述纵型船形容器从前述纵型热处理炉以前述既定速度出炉后、测量硅晶片的电阻率和氧浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的电阻率求出包括掺杂剂和热施主的载流子浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的氧浓度借助前述关系式求出前述硅晶片具有的热施主量的步骤；求出从前述求出的载流子浓度减去前述求出的热施主量后的掺杂剂量的步骤；以及将前述求出的掺杂剂量变换为电阻率的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 电阻率 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的电阻率测量方法，该硅晶片具有既定的电阻率和氧浓度，其特征在于，具备：求出前述硅晶片具有的氧浓度与热施主量的关系式的步骤；对于被收容在纵型船形容器中的制造对象的硅晶片实施通过用纵型热处理炉进行热处理而将热施主消除的施主消除处理、在将前述纵型船形容器从前述纵型热处理炉以前述既定速度出炉后、测量硅晶片的电阻率和氧浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的电阻率求出包括掺杂剂和热施主的载流子浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的氧浓度、借助前述关系式求出前述硅晶片具有的热施主量的步骤；求出从前述求出的载流子浓度减去前述求出的热施主量后的掺杂剂量的步骤；以及将前述求出的掺杂剂量变换为电阻率的步骤。
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