[发明专利]氧化物半导体层的制备方法及装置在审
| 申请号： | 201810796404.4 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN108987258A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;王东方;刘军;王庆贺;傅武霞;闫梁臣;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化物半导体层的制备方法及装置，属于显示技术领域。所述所述方法包括：在基板上形成氧化物半导体层；当所述氧化物半导体层包括厚度不同的多个区域时，向所述氧化物半导体层施加氧离子，以使所述氧化物半导体层的多个区域中的氧含量与所述氧化物半导体层的厚度正相关。本发明解决了因氧化物半导体层的厚度均匀性较差而导致显示面板的显示效果较差的问题。本发明用于制备氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 制备方法及装置 厚度均匀性 制备氧化物 半导体层 显示面板 显示效果 氧离子 正相关 基板 施加 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成氧化物半导体层；当所述氧化物半导体层包括厚度不同的多个区域时，向所述氧化物半导体层施加氧离子，以使所述氧化物半导体层的多个区域中的氧含量与所述氧化物半导体层的厚度正相关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
