[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201810793135.6 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109003940A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 朱茂霞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法。该TFT阵列基板通过溅射镀膜形成像素电极，并在形成所述像素电极之后采用带负离子的等离子气体处理钝化层表面，利用负离子中和钝化层表面积累的正离子，降低钝化层表面的正电荷量，使背沟区的感应电荷量下降，从而降低背沟区的漏电流，提升TFT阵列基板的电性。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层表面 像素电极 负离子 沟区 等离子气体 感应电荷量 溅射镀膜 漏电流 正电荷 正离子 电性 制作 中和 积累 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的钝化层(30)以及设于所述钝化层(30)上的像素电极(40)；所述像素电极(40)通过溅射镀膜形成于所述钝化层(30)上；形成所述像素电极(40)之后采用带负离子的等离子气体处理钝化层(30)表面，利用负离子中和钝化层(30)表面积累的正离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810793135.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件的制作方法
- 下一篇：显示基板及其制备方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
