[发明专利]基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810727123.3 | 申请日: | 2018-07-04 |
公开(公告)号: | CN108899379B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 蒋志;牛智川;徐应强;王国伟;蒋洞微;孙姚耀;郭春妍;贾庆轩;常发冉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 喻颖 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种基于锑化物的可见光‑中红外探测器及其制备方法,所述可见光‑中红外探测器的各功能层从衬底沿外延生长方向依次是:衬底、缓冲层、中波通道欧姆接触层、中波通道吸收层、两个隧穿层、可见光通道吸收层、可见光通道欧姆接触层以及盖层。本发明的基于锑化物的可见光‑中红外探测器具有双吸收层结构,具有可见光波段响应高、结构简单、制备工艺简便的优势,满足了可见‑红外宽光谱探测器对可见光高响应的性能需求,为实现高性能的锑化物器件从可见光至中波红外宽光谱探测奠定了基础。 | ||
搜索关键词: | 可见光 中红外探测器 锑化物 吸收层 可见光通道 欧姆接触层 宽光谱 衬底 制备 外延生长方向 可见光波段 性能需求 制备工艺 高响应 功能层 缓冲层 隧穿层 探测器 盖层 探测 响应 | ||
【主权项】:
1.一种基于锑化物的可见光‑中红外探测器,其特征在于,包括:衬底;缓冲层,外延于所述衬底之上;中波通道欧姆接触层,厚度为550nm,外延于所述缓冲层之上;中波通道吸收层,厚度为1500nm,外延于所述中波通道欧姆接触层之上;两个隧穿层,厚度各为30nm,外延于所述中波通道吸收层之上,其中一个为P型隧穿层,另一个为N型隧穿层;可见光通道吸收层,厚度为2000nm,外延于所述隧穿层之上;可见光通道欧姆接触层,厚度为400nm,外延于所述可见光通道吸收层之上;盖层,外延于所述可见光通道欧姆接触层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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