[发明专利]一种标准单元库全模型的测试方法及测试系统有效
申请号: | 201810685359.5 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN108830008B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 尹明会;陈岚;张卫华;周欢欢;王晨 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;G06F30/392 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种标准单元库全模型的测试方法,包括以下步骤:步骤201、进行标准单元版图的多重物理规则检查;步骤202:进行标准单元库模型的形式验证;步骤203、进行标准单元库的Benchmark电学特性验证;步骤204、进行标准单元库的芯片设计硅验证。本发明还提供了一种标准单元库全模型的测试系统。本发明可以快速高覆盖率地完成标准单元库全模型的测试验证。 | ||
搜索关键词: | 一种 标准 单元 模型 测试 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种标准单元库全模型的测试方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤201、进行标准单元版图的多重物理规则检查,验证标准单元物理设计规则的正确性,包括:标准单元的随机拼接检查、标准单元的测试Pattern添加检查、标准单元的特殊规则检查;步骤202:进行标准单元库模型的形式验证,包括标准单元库模型内容的完整性验证和标准单元各种库模型数据间的一致性验证;步骤203、进行标准单元库的电学特性验证,基于待测标准单元库和同节点商业标准单元库,对行业基准电路进行电路综合;通过统计分析电路综合的结果,对比待测标准单元库和同节点商业库在时序、面积、功耗方面的性能差异;步骤204、进行标准单元库的芯片设计硅验证,将待测标准单元库用于测试芯片的全流程设计,验证标准单元库模型与主流EDA工具的兼容性,逻辑功能正确性,以及时序模型的准确性;其中,测试芯片的电路结构包括逻辑功能验证模块和时序性能验证模块两部分核心电路,以及外围电路模块。
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