[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201810685195.6 申请日: 2018-06-28
公开(公告)号: CN110660926B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 朱佩;向超宇;钱磊;张滔;李乐 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及发光二极管电极材料技术领域,具体提供一种新型透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述新型透明导电薄膜的材料为二氧化锡和碳形成的复合材料,且在所述二氧化锡和碳相邻的界面上具有过渡缓冲材料。本发明的新型透明导电薄膜具有优异的导电性性能,同时具有良好的SnO2/碳复合材料界面稳定性,特别适合作为量子点发光二极管的阳极材料。
搜索关键词: 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种新型透明导电薄膜,其特征在于,所述新型透明导电薄膜的材料为二氧化锡和碳形成的复合材料,且在所述二氧化锡和碳相邻的界面上具有过渡缓冲材料。/n
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