[发明专利]一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810682109.6 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108837813A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李聪;钟溢健;王蓝青;梁效铭;解庆林;陈南春 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | B01J20/26 | 分类号： | B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用,该离子印迹材料是以硅藻土为载体,As(V)离子为模板，氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，环氧氯丙烷为交联剂，盐酸为洗脱剂，通过表面离子印迹技术制备了介孔硅藻As(V)离子印迹材料。本发明的介孔硅藻As(V)离子印迹材料具有步骤简单、操作方便、生产效率高等优点,并且对水中As(V)离子具有良好的吸附性和选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅藻 介孔 离子印迹材料 制备方法和应用 离子表面 印迹材料 离子 氨丙基三甲氧基硅烷 环氧氯丙烷 表面离子 功能单体 生产效率 印迹技术 硅藻土 交联剂 吸附性 洗脱剂 水中 制备 盐酸 | ||
【主权项】：
1.一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用，其特征在于包括以下步骤:(1)活化硅藻土：称30g硅藻土用2mol/L的盐酸70℃水浴加热回流8～12h，之后抽滤，用去离子水洗至中性，最后80℃烘干；(2)称取0.2～0.25mmol的砷酸钠固体在三口瓶中，然后加入10mL超纯水使其充分溶解，再量取80～100mL的甲醇加入三口瓶中，混匀之后，滴加2mL的氨基丙基三甲氧基硅烷，反应1～2h，接着加入步骤(1)活化后的硅藻土4g，60℃冷凝回流20h，之后加入2.7mL的环氧氯丙烷，继续反应2～4h，冷却后抽滤，用无水乙醇洗涤2～3次；(3)最后在步骤(2)中加入0.5～1mol/L的盐酸在常温下洗脱2～4h，再用去离子水洗涤至中性，80℃烘干，得到介孔硅藻As(V)离子印迹材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林理工大学，未经桂林理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810682109.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
