[发明专利]印迹多孔吸附锂/铷离子材料的制备方法及应用

摘要

本发明属于材料制备和分离技术领域，涉及锂/铷离子双吸附材料的制备，尤其涉及一种印迹多孔吸附材料的制备方法及其应用。本发明先对碳纳米管进行羟基化处理，通过3‑缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷KH560中硅连接的三甲氧基与碳纳米管上的羟基发生反应，引入环氧基团；再与印迹对叔丁基杯[4]芳烃IC4A的酚羟基开环复合，得到印迹多孔吸附材料。对叔丁基杯[4]芳烃的络合效果结合离子印迹技术，能够对锂/铷离子进行高效的选择性双吸附。本发明还公开了将所制得材料应用于盐湖卤水中锂离子和铷离子的吸附。本发明所述方法操作较为简单，所制得印迹多孔吸附材料结构稳定，比表面较大，再结合离子印迹技术，可以增加材料的吸附位点，提高材料的吸附性能。

主权项

1.印迹多孔吸附锂/铷离子材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：量取KH560和干甲苯于容器，磁力搅拌下加入羟基化碳纳米管(MWCNTs)和三乙胺，在干燥氮气中搅拌并110℃～130℃回流5～8 h；过滤，依次用甲苯、丙酮、去离子水和丙酮洗涤，70℃～90℃真空干燥6～10 h，得到KH560接枝的碳纳米管KH560/MWCNTs；按照50mg:1mL的固液比，将IC4A置于甲苯中，磁力搅拌下加入NaH，于N2保护下70℃～90℃油浴20～40 min；静置取上层清液，加入四丁基溴化铵和KH560/MWCNTs，在干燥N2中搅拌并80℃微回流反应20～30 h；趁热过滤，洗涤，100℃～140℃真空干燥8～12 h，即得。