[发明专利]一种光伏双面电池的退火方法有效
申请号: | 201810675376.0 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108767070B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 袁雪婷;金井升;张艳鹤 | 申请(专利权)人: | 晶科能源科技(海宁)有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 33265 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 蔡鼎 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种光伏双面电池的新型退火方法。本发明包括:1)、将烧结下料的N型双面电池放入光恢复炉中,使N型双面电池的正面朝上,背面朝下,设置上卤素灯加热N型双面电池的正面,下卤素灯加热N型双面电池的背面;2)、高温加热进行退火,上卤素灯对上含氢钝化膜的加热温度为400~500℃,下卤素灯对下含氢钝化膜的加热温度为300~400℃,上含氢钝化膜与下含氢钝化膜的加热温差为60~100℃;3)、N型双面电池在5秒内达到退火高温,并退火高温持续时间为1~5分钟;4)、随后,使用风冷系统对N型双面电池的背面降温,令背面的表面温度在短时间内降到室温。本发明不需要光照,同时提升光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 双面电池 退火 卤素灯 氢钝化 加热 背面 光伏 光电转换效率 风冷系统 高温加热 加热温差 烧结 朝上 放入 炉中 下料 光照 恢复 | ||
【主权项】:
1.一种光伏双面电池的退火方法,其中双面电池为N型双面电池,所述N型双面电池是使用掺磷单晶硅片制作的双面钝化发射极及背局域接触电池,所述N型双面电池的正面全部贴覆可透光的上含氢钝化膜,所述N型双面电池的背面采用栅线印刷结构,背面其余区域贴覆可透光的下含氢钝化膜,使所述N型双面电池正、背面均可进行吸光功能,其特征在于,退火方法包括以下步骤:/n1)、将烧结下料的N型双面电池放入光恢复炉中,使N型双面电池的正面朝上,背面朝下,设置上卤素灯加热N型双面电池的正面,下卤素灯加热N型双面电池的背面;/n2)、高温加热进行退火,上卤素灯对上含氢钝化膜的加热温度为400~500℃,下卤素灯对下含氢钝化膜的加热温度为300~400℃,上含氢钝化膜与下含氢钝化膜的加热温差为60~100℃;/n3)、N型双面电池在5秒内达到退火高温,并退火高温持续时间为1~5分钟,升温过程以及高温过程中,含氢钝化膜中氢向电池片内部快速扩散,由于温度改变,硅片的费米能级也随之发生变化,氢原子被激活,成为中性态,氢的扩散率增加,同时,钝化缺陷的势垒也随之降低,硅片中的杂质和晶界缺陷得到钝化,复合减少;/n4)、随后,使用风冷系统对N型双面电池的背面降温,令背面的表面温度在短时间内降到室温,降温过程中,已用来钝化的氢形成化合物不再移动,而未钝化的氢重新向表面移动,在钝化膜的下面形成富集层;降温曲线在初始时斜率较大,确保温度能在很短时间内下降,以避免降温缓慢导致氢与缺陷形成的化合物重新分解;而后续降温缓慢进一步控制氢在硅基体中的分布,避免形成氢浓度过高的富集层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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