[发明专利]甘薯脱毒试管苗温室绿色快繁方法有效

专利信息
申请号: 201810672104.5 申请日: 2018-06-26
公开(公告)号: CN108901841B 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 侯夫云;王庆美;李爱贤;董顺旭;秦桢;解备涛;段文学;张海燕;张立明 申请(专利权)人: 山东省农业科学院作物研究所
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 11569 北京高沃律师事务所 代理人: 刘奇
地址: 250000 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种甘薯苗的繁育方法,属于快繁技术领域。本发明的方法包括以下步骤:1)将甘薯脱毒试管苗移栽到温室中培养1~7d,得快繁母株;2)待母株长出第二片新叶时,摘除顶部,进行快繁培养40~50d,得快繁苗;3)将步骤2)得到的所述快繁苗裁剪成一级快繁苗,所述一级快繁苗为包括1片叶子的快繁苗茎段;4)将步骤3)得到的所述一级快繁苗进行扦插培养,得繁育后的甘薯苗。本发明的繁育方法,繁育得到的甘薯苗,成活率为95.7~97.9%,繁殖倍数660~750,病毒携带率降低63~71%。
搜索关键词: 快繁 甘薯苗 繁育 脱毒试管苗 甘薯 母株 温室 病毒携带 扦插培养 裁剪 茎段 新叶 摘除 成活率 叶子 移栽 繁殖
【主权项】:
1.一种甘薯苗繁育方法,包括以下步骤:1)将甘薯脱毒试管苗移栽到温室中培养1~7d,得快繁母株;2)待母株苗长出第二片新叶时,摘除顶部,进行快繁培养40~50d,得快繁苗;3)将步骤2)得到的所述快繁苗裁剪成一级快繁苗,所述一级快繁苗为包括1片叶子的快繁苗茎段;4)将步骤3)得到的所述一级快繁苗进行扦插培养,得繁育后的甘薯苗;/n步骤1)所述甘薯脱毒试管苗带有原始培养基但不带培养瓶;/n步骤1)所述培养的温度为23~25℃,光照度为2000~3000lux,土壤含水量为70~80%;/n步骤2)所述快繁培养的温度为25~32℃,光照强度为4000~6000lux;/n步骤4)所述扦插培养的条件为:扦插后0~2d,温度为25~30℃,光照度为2000~3000lux;扦插2d后,温度为23~25℃,光照度为2000~3000lux;/n步骤4)所述扦插的密度为2~3.5万株/亩;/n步骤4)所述扦插培养的时间为14~20d。/n
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