[发明专利]N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件在审
申请号: | 201810649226.2 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN109065639A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 陈孝业;薛文娟;尹海鹏 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件,属于太阳能电池技术领域。该N型晶体硅太阳能电池包括依次设置的正面电极、正面钝化层、发射极、N型晶体硅基体、背面钝化层以及背面电极,其中,所述正面钝化层包括与所述发射极直接接触的氧化镓层。该太阳能电池中,利用氧化镓层所带有的负电荷对N型晶体硅太阳能电池的发射极的P型硅表面进行化学钝化和场钝化,降低P型硅表面处的少数载流子复合速率,并利用氧化镓层减少对入射光线的吸收而提高电池的光生电流密度,从而提高太阳能电池的电压与电流,提升太阳能电池的光电转换效率,进而提高光伏组件的输出功率,降低度电成本,提高光伏发电的性价比。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 光伏组件 发射极 氧化镓 正面钝化层 制备 太阳能电池技术 光电转换效率 背面钝化层 少数载流子 背面电极 光伏发电 化学钝化 入射光线 输出功率 依次设置 正面电极 场钝化 电成本 负电荷 降低度 电池 复合 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种N型晶体硅太阳能电池,包括依次设置的正面电极(6)、正面钝化层(2)、发射极(3)、N型晶体硅基体(1)、背面钝化层(5)以及背面电极(7),其特征在于,所述正面钝化层(2)包括与所述发射极(3)直接接触的氧化镓层(21)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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