[发明专利]N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件在审

专利信息
申请号: 201810649226.2 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN109065639A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 陈孝业;薛文娟;尹海鹏 申请(专利权)人: 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波
地址: 225131 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件,属于太阳能电池技术领域。该N型晶体硅太阳能电池包括依次设置的正面电极、正面钝化层、发射极、N型晶体硅基体、背面钝化层以及背面电极,其中,所述正面钝化层包括与所述发射极直接接触的氧化镓层。该太阳能电池中,利用氧化镓层所带有的负电荷对N型晶体硅太阳能电池的发射极的P型硅表面进行化学钝化和场钝化,降低P型硅表面处的少数载流子复合速率,并利用氧化镓层减少对入射光线的吸收而提高电池的光生电流密度,从而提高太阳能电池的电压与电流,提升太阳能电池的光电转换效率,进而提高光伏组件的输出功率,降低度电成本,提高光伏发电的性价比。
搜索关键词: 太阳能电池 光伏组件 发射极 氧化镓 正面钝化层 制备 太阳能电池技术 光电转换效率 背面钝化层 少数载流子 背面电极 光伏发电 化学钝化 入射光线 输出功率 依次设置 正面电极 场钝化 电成本 负电荷 降低度 电池 复合 吸收
【主权项】:
1.一种N型晶体硅太阳能电池,包括依次设置的正面电极(6)、正面钝化层(2)、发射极(3)、N型晶体硅基体(1)、背面钝化层(5)以及背面电极(7),其特征在于,所述正面钝化层(2)包括与所述发射极(3)直接接触的氧化镓层(21)。
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