[发明专利]高效电池退火工艺有效
申请号: | 201810622327.0 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108878289B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 袁华斌;王晨;符亮;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 朱丽莎 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池片生产技术领域,尤其涉及一种高效电池退火工艺,通过对背钝化后的硅片进行升温烘干,通过负压通气,在步骤4)至6)中一直保持负压状态,将水汽彻底去除干净;通过梯度降温的方式,能够将硅片体内的杂质更充分地析出,减少缺陷与复合;本发明和不使用退火工艺对比,硅片背面无水汽残留,开压平均提高了11mV,电流平均提高了42mA,转换效率提高了0.55%。 | ||
搜索关键词: | 高效 电池 退火 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种高效电池退火工艺,其特征在于:包括如下步骤:1)进舟:管内温度控制在600℃±10℃,通有5±0.05L/min的氮气,压力值为100±0.2Kpa,时间800s,进舟速度为800±10mm/min;2)抽真空:管内温度控制在600℃±10℃,无气体通入,真空泵工作,保证炉管内压力值为10±0.2Kpa,时间300s;3)检漏:管内温度控制在600℃±10℃,无气体通入,真空泵停止工作,保证炉管内压力值为100±0.2Kpa,时间60s;4)一次升温:管内设定温度控制在850℃±10℃,升温速率为15±1℃/min,通有2±0.05L/min的氮气,保证炉管内压力值为10±0.2Kpa,时间1000s;5)恒温:管内设定温度控制在850℃±10℃,并通有2±0.05L/min的氮气,保证炉管内压力值为10±0.2Kpa,时间600s;6)降温:水冷梯度降温,保证炉管内压力值为10±0.2Kpa,时间1800s;7)充气:管内温度控制在760℃±10℃,降温速率为20±5℃/min,通有3±0.05L/min的氮气,保证炉管内压力值为100±0.2Kpa,时间200s;8)出舟:管内温度控制在800℃±10℃,通有2±0.05L/min的氮气,炉管内压力值为100±0.2Kpa,时间800s,出舟速度为800±10mm/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造