[发明专利]评估SiC同质异构结IMPATT二极管性能的方法有效
| 申请号： | 201810602317.0 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108875193B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 韦文生;胡丽霞 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 33258 温州名创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种评估SiC同质异构结碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管性能的方法，包括确定IMPATT二极管的结构，并构建IMPATT二极管N区及P区的厚度与工作频率f | ||
| 搜索关键词： | 二极管 同质 异构 方程组 雪崩 连续性方程 边界条件 泊松方程 迭代模拟 工作频率 交流功率 隧穿效应 雪崩电压 转换效率 差分法 漂移区 电导 电纳 迭代 构建 评估 求解 隧穿 | ||
【主权项】：
1.一种评估评估SiC同质异构结IMPATT二极管性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1，确定SiC同质异构结IMPATT二极管的结构，并基于载流子漂移-扩散机制的分析，构建SiC同质异构结IMPATT二极管的N区及P区的厚度与工作频率f
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