[发明专利]L波段微放电抑制星用高功率环行器有效

专利信息
申请号: 201810585598.3 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN108521001B 公开(公告)日: 2023-07-11
发明(设计)人: 彭承敏;夏瑞青 申请(专利权)人: 西南应用磁学研究所
主分类号: H01P1/383 分类号: H01P1/383;H01P1/38
代理公司: 成都市熠图知识产权代理有限公司 51290 代理人: 杨金涛
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种L波段微放电抑制星用高功率环行器,属于微波元器件技术领域,包括环行器主体和与所述环行器主体两端连接的连接器,所述环行器主体包括相互连接的上腔体和下腔体,所述上腔体和下腔体内分别设置有上介质和下介质,所述上介质和下介质内侧围合成环行器内部,所述上介质和下介质内侧设置有基片,所述基片上设置有中心导体;所述连接器内设置有连接器内导体和连接器介质,所述中心导体与所述连接器内导体相连,所述连接器介质延伸至所述环行器内部,与所述上介质和下介质交错;本发明的环行器可以有效抑制微放电的产生,对产品结构、外形尺寸没有限制,不需要昂贵的设备投入,工艺简单,适合推广。
搜索关键词: 波段 放电 抑制 星用高 功率 环行器
【主权项】:
1.一种L波段微放电抑制星用高功率环行器,包括环行器主体和与所述环行器主体两端连接的连接器,所述环行器主体包括相互连接的上腔体和下腔体,所述上腔体和下腔体内分别设置有上介质和下介质,所述上介质和下介质内侧围合成环行器内部,所述上介质和下介质内侧设置有基片,所述基片上设置有中心导体;所述连接器内设置有连接器内导体和连接器介质,所述中心导体与所述连接器内导体相连,其特征在于:所述连接器介质延伸至所述环行器内部,与所述上介质和下介质交错。
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