[发明专利]蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法有效

专利信息
申请号: 201810568337.0 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN108998032B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 吕志鹏;陈韵慈;廖本男;李懿 申请(专利权)人: 关东鑫林科技股份有限公司
主分类号: C09K13/02 分类号: C09K13/02;H01L21/306;H01L21/3213
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 崔亚松
地址: 中国台湾桃园市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种蚀刻液组成物,包括:四级铵盐碱性化合物;胺类化合物;以及水性介质,其中,以该蚀刻液组成物的总重计,该四级铵盐碱性化合物的含量为1.0至30%,该胺类化合物之含量为10至60%,该蚀刻液组成物对于硅的不同结晶方向具有接近的蚀刻速率,能降低不同结晶面的硅的蚀刻速率差。
搜索关键词: 蚀刻 组成 使用 方法
【主权项】:
1.一种蚀刻液组成物,其特征在于,包括:四级铵盐碱性化合物,以该蚀刻液组成物的总重计,该四级铵盐碱性化合物的含量为1.0至30%;胺类化合物,以该蚀刻液组成物的总重计,该胺类化合物的含量为10至60%;以及水性介质。
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