[发明专利]蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法有效
申请号: | 201810568337.0 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108998032B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 吕志鹏;陈韵慈;廖本男;李懿 | 申请(专利权)人: | 关东鑫林科技股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/02 | 分类号: | C09K13/02;H01L21/306;H01L21/3213 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 崔亚松 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种蚀刻液组成物,包括:四级铵盐碱性化合物;胺类化合物;以及水性介质,其中,以该蚀刻液组成物的总重计,该四级铵盐碱性化合物的含量为1.0至30%,该胺类化合物之含量为10至60%,该蚀刻液组成物对于硅的不同结晶方向具有接近的蚀刻速率,能降低不同结晶面的硅的蚀刻速率差。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 组成 使用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻液组成物,其特征在于,包括:四级铵盐碱性化合物,以该蚀刻液组成物的总重计,该四级铵盐碱性化合物的含量为1.0至30%;胺类化合物,以该蚀刻液组成物的总重计,该胺类化合物的含量为10至60%;以及水性介质。
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