[发明专利]一种DRAM控制器的抗干扰方法和电路及芯片有效
| 申请号： | 201810402868.2 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108416176B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 李璋辉 | 申请（专利权）人： | 珠海一微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3312 | 分类号： | G06F30/3312 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 519000 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DRAM控制器的抗干扰方法和电路及芯片。所述方法，通过利用DQS时间窗口信号，将DQS信号中位于所述时间窗口段以外的毛刺滤除掉，从而得出更准确的DQS信号，提高了DRAM控制器的抗干扰的性能。所述抗干扰电路和芯片，除了可以滤除DQS信号的毛刺外，还可以将所述时间窗口段内所对应的DQS信号的脉冲数量与突发数量进行比较，如果两者的数量相同，则表明该DQS信号为有效信号，所述DQS处理模块发出控制信号至读数据采集模块，使其进行读数据采集操作。如果两者的数量不相同，则表明该DQS信号异常，为无效信号，所述DQS处理模块发出控制信号至命令发射模块，使其重新发出读命令至DRAM，DRAM接收到该命令后重新返回数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 控制器 抗干扰 方法 电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM控制器的抗干扰方法，其特征在于，包括如下步骤：所述DRAM控制器检测到DQS信号；所述DRAM控制器生成DQS时间窗口信号，并确定所述DQS时间窗口信号中的时间窗口段；所述DRAM控制器将所述DQS信号与所述DQS时间窗口信号进行时序对比及分析，确定所述DQS信号中与所述时间窗口段所对应的信号为正常信号。
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