[发明专利]一种掩膜板、阵列基板在审
申请号: | 201810389704.0 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN108646515A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 叶成亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种掩膜板及阵列基板,所述掩膜板包括遮光区域,所述遮光区域包括相互交叉的横向遮光条和纵向遮光条;其中,所述横向遮光条与所述纵向遮光条的交汇处设置有辅助遮光块,所述辅助遮光块由第一边、第二边以及第三边围合形成,所述第一边对应所述交汇处的部分所述横向遮光条的边界,所述第二边对应所述交汇处的部分所述纵向遮光条的边界,所述第三边连接所述横向遮光条和所述纵向遮光条;所述辅助遮光块的所述第三边与所述第一边之间的夹角大于或小于45度,或者,所述辅助遮光块的所述第三边与所述第二边之间的夹角大于或小于45度。 | ||
搜索关键词: | 横向遮光条 遮光块 遮光条 交汇处 掩膜板 遮光区域 阵列基板 围合 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板,其特征在于,包括板体,以及阵列分布于所述板体表面的掩膜区域,每一所述掩膜区域包括:透光区域,对应待实施光罩制程的显示器件的刻蚀区域;遮光区域,对应所述待实施光罩制程的显示器件的预设图案区域,所述遮光区域包括相互交叉的横向遮光条和纵向遮光条;其中,所述横向遮光条与所述纵向遮光条的交汇处设置有辅助遮光块,所述辅助遮光块由第一边、第二边以及第三边围合形成,所述第一边对应所述交汇处的部分所述横向遮光条的边界,所述第二边对应所述交汇处的部分所述纵向遮光条的边界,所述第三边连接所述横向遮光条和所述纵向遮光条;所述辅助遮光块的所述第三边与所述第一边形成的第一夹角以及所述第三边与所述第二边形成的第二夹角均为非直角;所述第一夹角和所述第二夹角不等于45度,且不等于135度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810389704.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:摄像头解析力测试图卡
- 下一篇:光刻胶涂覆设备
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备