[发明专利]一种压电式高G值冲击传感器芯体有效
| 申请号： | 201810332812.4 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108445257B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 房远勇;吕俊;刘春 | 申请（专利权）人： | 北京强度环境研究所 |
| 主分类号： | G01P15/09 | 分类号： | G01P15/09 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种压电式高G值冲击传感器芯体，属于振动测量领域。采用三角剪切压电晶体结构，单程形状记忆合金作为芯体紧固件并充当压电晶体质量块。减少了结构件数量并提高了传感器结构强度。采用形状记忆合金作为剪切结构的紧固件，并将形状记忆合金作为剪切结构质量块进一步简化结构。整个敏感芯体结构装配过程不需要额外装置，通过形状记忆合金变形收缩即可完成装配。结构简化使得整个传感器具有较大的刚性并具有较宽的频率响应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 冲击 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种压电式高G值冲击传感器芯体，其特征在于：其包括底座(1)、紧固件(3)和至少一压电晶体(2)；所述底座(1)包括底座限位结构(11)、底座上安装柱(12)和底座底面(13)，所述压电晶体(2)包括压电晶体底面、压电晶体内表面(21)和压电晶体外表面(22)；所述紧固件(3)包括紧固件内表面(31)和紧固件顶面(32)；所述紧固件(3)套装在所述底座上安装柱(12)上，两者之间装配入所述压电晶体(2)；所述压电晶体底面限位安装于与所述底座(1)的底座限位结构(11)上，所述压电晶体内表面(21)与所述底座上安装柱(12)的外表面形成装配关系，所述压电晶体外表面(22)与所述紧固件内表面(31)形成装配关系，所述紧固件(3)采用单程形状记忆合金，所述紧固件(3)与所述压电晶体(2)、所述压电晶体(2)与所述底座(1)在装配时采用紧配合方式；装配完成后，所述压电晶体顶面(23)与所述底座底面(13)平行，所述紧固件顶面(32)与所述底座底面(13)平行。
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