[发明专利]量子点发光二极管、其制备方法及显示器件在审

专利信息
申请号: 201810270120.1 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN110212102A 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 尤娟娟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;蔡丽
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示领域,特别涉及量子点发光二极管、其制备方法及显示器件。所述量子点发光二极管的量子点发光层靠近空穴传输层的一侧设置有电子传输材料形成的第一电子传输层;和/或所述量子点发光二极管的量子点发光层内掺杂有电子传输材料。由于在空穴传输层一侧添加了电子传输材料,空穴无需注入到量子点发光层中,而是在电子传输层与空穴传输层之间或者空穴传输层与量子点发光层之间,与电子复合形成激基复合物,所述激基复合物将能量传导至量子点发光层,从而避开了从空穴传输层到量子点发光层的注入势垒,增强了空穴的注入;同时增加了电子注入的势垒,减少了电子注入的个数,因此载流子注入更为平衡。
搜索关键词: 量子点 发光层 空穴传输层 发光二极管 电子传输材料 空穴 电子传输层 激基复合物 电子注入 显示器件 制备 载流子 电子复合 能量传导 注入势垒 势垒 掺杂 避开 平衡
【主权项】:
1.一种量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发光二极管的量子点发光层靠近空穴传输层的一侧设置有电子传输材料形成的第一电子传输层;和/或所述量子点发光二极管的量子点发光层内掺杂有电子传输材料。
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