[发明专利]一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置在审
| 申请号： | 201810269548.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108396375A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;贺广东;雷丹;黄嘉丽;王智昊;王琦琨;龚加玮;黄毅 | 申请（专利权）人： | 苏州奥趋光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;刘鑫 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，包括底部用于放置氮化铝籽晶的坩埚本体、设于坩埚本体顶部的坩埚盖、设于坩埚本体中的用于将氮化铝原料固定在氮化铝籽晶上方的固定机构，坩埚装置还包括设于氮化铝原料和氮化铝籽晶之间的导流罩，导流罩沿靠近氮化铝籽晶的方向向下逐渐径向收缩。本发明一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，将用于生长氮化铝单晶的氮化铝籽晶直接放在坩埚底部，将氮化铝原料放在坩埚中上部，倒置原料区和生长区，避免了传统籽晶粘接工艺带来的粘接剂层有气泡、籽晶表面污染等缺点；通过在坩埚本体中设置导流罩，优化了坩埚本体中传质方向，极大的促进了氮化铝籽晶外延生长的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝 籽晶 坩埚本体 氮化铝单晶 坩埚装置 同质外延生长 导流罩 坩埚 固定机构 径向收缩 外延生长 粘接剂层 籽晶表面 倒置 生长区 原料区 坩埚盖 传质 粘接 生长 污染 优化 | ||
【主权项】：
1.一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：包括底部用于放置氮化铝籽晶的坩埚本体、设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、设于所述坩埚本体中的用于将氮化铝原料固定在所述氮化铝籽晶上方的固定机构，所述坩埚装置还包括设于所述氮化铝原料和所述氮化铝籽晶之间的导流罩，所述导流罩，沿靠近所述氮化铝籽晶的方向向下逐渐径向收缩。
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