[发明专利]离子布植的方法在审
| 申请号： | 201810264504.2 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807121A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·R·瓦尔特 | 申请（专利权）人： | 汉辰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 中国台湾新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子束布植的方法。该方法提供一种使用多重几何方向的离子束以产生一倾斜角度范围的离子布植方法。该倾斜角度范围可以定义为指定在这个倾斜角度范围的剂量分布。这个方法包含:获得离子布植参数，决定曝光步骤的次数，选择相对应于曝光步骤的布植参数，获得布植数据，定义第一布植序列，根据第一布植序列创造多重几何方向布植曝光序列，以及根据多重几何方向离子曝光序列执行离子布植。 | ||
| 搜索关键词： | 布植 离子 几何方向 曝光步骤 曝光序列 离子束 剂量分布 | ||
【主权项】：
1.一种使用多重几何方向将离子布植至一芯片的方法，包含:获得一内建参数；决定一曝光计数；获得一第一布值参数集合；产生一多重几何方向布值曝光序列，其是根据该曝光计数、该内建参数与该第一布植参数集合，在此该多重几何方向布值曝光序列包含多数个曝光步骤；以及布植离子至该芯片，其是根据该多重几何方向布值曝光序列；在此，每一个该曝光步骤指定用以布植离子的一离子束的一剂量百分比、一晶圆角度与一晶圆方向。
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