[发明专利]一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料有效
| 申请号： | 201810257171.0 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108539013B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;朱小芹;吴世臣;邹华;袁丽;吴卫华;张建豪;眭永兴;沈大华 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/16;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人： | 孙培英 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge |
||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高速 功耗 相变 存储器 ge sb 晶格 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的 Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方；所述Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Ge(a)/Sb(b)]x表示，其中a为单层Ge层的厚度， a=5nm；b为单层Sb层的厚度， b=1或3；x为Ge层和Sb层的交替周期数，x=6或8；48nm≤（a+b）*x≤72nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏理工学院，未经江苏理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810257171.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
