[发明专利]一种有机无机杂化薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810253882.0 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108470830A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李金华;江力;黄康;王贤保;梅涛;王建颖 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机无机杂化薄膜晶体管，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、氧化锌无机半导体层、金属电极对、有机栅介电质层和金属电极，所述有机栅介电质层为双层薄膜，包括CYTOP薄膜和P(VDF‑TrFE‑CFE)薄膜，所述CYTOP薄膜与氧化锌无机半导体层接触。本发明以氧化锌为无机半导体层材料，以CYTOP/P(VDF‑TrFE‑CFE)为有机栅介电质材料，P(VDF‑TrFE‑CFE)介电常数高达60，可以使半导体内部诱导出更多的载流子，提高沟道内载流子浓度，进而提高器件载流子迁移率，CYTOP可以有效减小界面缺陷态浓度，进一步提高载流子迁移率，能够提高薄膜晶体管的开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 无机半导体层 栅介电质 氧化锌 载流子 薄膜 有机无机杂化薄膜 载流子迁移率 金属电极 晶体管 薄膜晶体管 光电元器件 界面缺陷态 介电常数 双层薄膜 依次设置 开关比 衬底 沟道 减小 制备 半导体 诱导 | ||
【主权项】：
1.一种有机无机杂化薄膜晶体管，包括依次设置的衬底、氧化锌无机半导体层、金属电极对、有机栅介电质层和金属电极，所述有机栅介电质层为双层薄膜，包括层叠的CYTOP薄膜和P(VDF‑TrFE‑CFE)薄膜，所述CYTOP薄膜与氧化锌无机半导体层部分接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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