[发明专利]一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法在审
| 申请号： | 201810232213.5 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108675793A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王小华;吴方旭;崔莉;初洪超;李宗涛;王丹;马达;谢淼 | 申请（专利权）人： | 北京清核材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/563 | 分类号： | C04B35/563;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法，属于陶瓷制备领域，其特征在于使用纯碳化硼进行烧结，且在传统的一次烧结基础上增加再烧结步骤。它是通过如下技术方案实现的：按质量百分比，将碳化硼80％‑94％，去离子水5％‑15％，丙三醇1％‑10％通过球磨及过筛混合均匀，冷压成型，利用真空热压烧结技术制备碳化硼陶瓷，本发明中采用二次烧结方法，在低于碳化硼熔点450℃的最高烧结温度下，得到了致密化且各项物理性能优异的碳化硼陶瓷。本发明解决了碳化硼纯粉烧结致密化困难的问题，为防弹陶瓷材料领域提供了一种致密化陶瓷制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硼 碳化硼陶瓷 二次烧结 陶瓷 烧结 致密化 制备 真空热压烧结技术 熔点 防弹陶瓷材料 烧结致密化 制备碳化硼 质量百分比 冷压成型 去离子水 烧结步骤 物理性能 一次烧结 丙三醇 传统的 纯粉 过筛 球磨 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法，其特征在于使用纯碳化硼进行烧结，且在传统的一次烧结基础上增加再烧结步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京清核材料科技有限公司，未经北京清核材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810232213.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
