[发明专利]一种G8多晶硅锭的铸造方法

摘要

本发明公开了一种G8多晶硅锭的铸造方法，包括坩埚加热、调配喷涂液、坩埚喷涂、装料、投料、抽真孔、融化成核、结晶、退火后自然冷却,得到所述的G8多晶硅锭。使用本发明的方法生产的多晶硅锭具有生产周期短，成本低，硅锭达到G8级，是现有多晶硅锭重量的1.2倍，大大提高了多晶硅锭的生产率，所得多晶硅片具有晶粒尺寸均匀，多晶硅纯度高、缺陷密度小，硅片转化效率高的特点。

主权项

1.一种G8多晶硅锭的铸造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1）坩埚加热：将坩埚放置在旋转烘箱上进行加热；步骤2）调配喷涂液：在搅拌釜内放入1.5份淡化硅粉、4.5份去离子水和0.75份硅溶胶进行均匀搅拌，搅拌完成后形成淡化硅液体备用；步骤3）坩埚喷涂：当坩埚内的温度加热到大于等于70℃以后，开始喷涂；用手动式喷枪将淡化硅液体均匀的喷涂在坩埚内壁，然后烘干备用；步骤4）装料：按照籽晶料铺底、贴边装料、底部装料、硅料摆放、中部区域装料、第三层贴边装料、上部区域装料、顶部装料的顺序进行坩埚内硅料的有序添加并且完成装料；步骤5）投料：将装料完成后的坩埚，利用行车夹具将坩埚进行夹紧然后放置到多晶炉体内，通过夹具调整坩埚放置在多晶炉体中心位置；步骤6）抽真孔：将多晶炉的顶盖与多晶炉体密封闭合，然后对多晶炉体内部进行抽真空，直至多晶炉体内的真空度为0.12；步骤7）融化成核，即通过加热使坩埚中的硅料融化，直至硅料全部融化；步骤8）结晶：缓慢打开多晶炉底部的热门，在1min内将热门打开220mm的宽度，然后在30min钟内继续打开550mm的宽度，直至硅料顶部温度与底部温度聚降幅差在8℃时，测量冷却的固定硅料高度。