[发明专利]半色调相移光掩模坯料有效
申请号: | 201810188719.0 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN108572510B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 稻月判臣;深谷创一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/62 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半色调相移光掩模坯料,该半色调相移光掩模坯料具有在透明衬底上的用作半色调相移膜的第一膜、用作遮光膜的第二膜、用作硬掩模膜的第三膜、和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成,该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由无硅的含铬材料形成,该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。 | ||
搜索关键词: | 色调 相移 光掩模 坯料 | ||
【主权项】:
1.半色调相移光掩模坯料,其包含:透明衬底,在该衬底上用作半色调相移膜的第一膜,与第一膜邻接形成的用作遮光膜的第二膜,与第二膜邻接形成的用作硬掩模膜的第三膜,和与第三膜邻接形成的第四膜,其中第一膜和第三膜由耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去的含硅材料形成,第二膜和第四膜由耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去的无硅的含铬材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810188719.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光掩模坯料
- 下一篇:用于EUV光刻的防护膜及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备