[发明专利]一种大功率机载直流过压浪涌抑制电路在审
| 申请号： | 201810188166.9 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108448557A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高彧博;苏雨;管旭军;杨亮;谢章贵;李群;王星宇;程立 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二三研究所 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H3/20 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 孟睿 |
| 地址： | 225001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种大功率机载直流过压浪涌抑制电路。包括限流电阻、TVS二极管一、高速光耦、去耦电容、TVS二极管二、场效应晶体管、滤波储能电容和上拉电阻，所述高速光耦内部初级的发光二极管与限流电阻、TVS二极管一串联后并入机载供电端，高速光耦内部次级的光敏三极管与去耦电容、TVS二极管二并联后，与上拉电阻串联后并入机载供电端，并联的光敏三极管、去耦电容、TVS二极管二接在场效应晶体管的栅源两端，TVS二极管二的阴极接场效应晶体管的栅极，TVS二极管二的阳极接场效应晶体管的源极，负载端的滤波储能电容并联在供电正端与场效应晶体管的漏极给后级电源模块供电。发明承受后级负载功率大、体积小、响应速度快、可靠性高、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 高速光耦 电容 去耦 浪涌抑制电路 滤波储能电容 光敏三极管 上拉电阻 限流电阻 供电端 并联 串联 阴极 发光二极管 效应晶体管 负载功率 后级电源 供电 阳极 体积小 漏极 源极 栅源 正端 响应 | ||
【主权项】：
1.一种大功率机载直流过压浪涌抑制电路，其特征在于，包括：限流电阻(1)、TVS二极管一(2)、高速光耦(3)、去耦电容(4)、TVS二极管二(5)、场效应晶体管(6)、滤波储能电容(7、8)和上拉电阻(9)；所述高速光耦(3)内部初级的发光二极管与限流电阻(1)、TVS二极管一(2)串联后并入机载供电端正负极之间；高速光耦(3)内部次级的光敏三极管与去耦电容(4)、TVS二极管二(5)并联后，与上拉电阻(9)再串联，串联后并入机载供电端正负极之间，并联的光敏三极管、去耦电容(4)以及TVS二极管二(5)接在场效应晶体管(6)的栅极和源极之间，TVS二极管二(5)的阴极接场效应晶体管(6)的栅极，TVS二极管(5)的阳极接场效应晶体管(6)的源极；负载端的滤波储能电容(7、8)并联在机载供电端的正极与场效应晶体管(6)的漏极之间，并给后级电源模块供电。
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