[发明专利]抗弯曲多模光纤有效
| 申请号： | 201810103238.5 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108333671B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 喻煌;赵梓森 | 申请（专利权）人： | 烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/028 | 分类号： | G02B6/028;G02B6/036 |
| 代理公司： | 42225 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 王维<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗弯曲多模光纤，涉及光纤领域，包括：芯层，芯层折射率剖面呈抛物线形，且分布指数α为1.95～2.05，芯层的半径R1为8～12μm，芯层的最大相对折射率差Δ1％max为0.8％～1.2％。内包层，其紧密围绕芯层，内包层的半径R2为8～17μm，内包层的相对折射率差Δ2％为‑0.1％～0.05％。以及下陷包层，其紧密围绕内包层，下陷包层的半径R3为9～22μm，下陷包层的相对折射率差Δ3％为‑0.8％～‑0.3％。本发明中的抗弯曲多模光纤抗弯曲性能良好，在受到偶然弯曲后，能够限制信号衰减和信噪比劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 内包层 芯层 抗弯曲多模光纤 下陷包层 相对折射率差 最大相对折射率差 芯层折射率剖面 抗弯曲性能 分布指数 光纤领域 抛物线形 限制信号 信噪比 劣化 衰减 | ||
【主权项】：
1.一种抗弯曲多模光纤，其特征在于，包括：/n芯层，所述芯层折射率剖面呈抛物线形，且分布指数α为2.04，所述芯层的半径R1为9.8μm，所述芯层的最大相对折射率差Δ1％max为0.85％；所述芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述芯层中锗的贡献折射率为0.93％，所述芯层中氟的贡献折射率为-0.08％；/n内包层，其紧密围绕所述芯层，所述内包层的半径R2为10.8μm，所述内包层的相对折射率差Δ2％为-0.05％；所述内包层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，所述内包层中锗的贡献折射率为0.05％，所述内包层中氟的贡献折射率为-0.10％；以及/n下陷包层，其紧密围绕所述内包层，所述下陷包层的半径R3为13μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3％为-0.3％；/n外包层，其紧密围绕所述下陷包层；所述外包层的半径R4为62.5μm；/n其中，所述相对折射率差均以所述外包层的折射率为基准。/n
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