[发明专利]一种静电吸盘除静电时的氦气压力控制系统及方法有效
申请号: | 201810092190.2 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108376659B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 袁鹏华 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201200 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种静电吸盘除静电时的氦气压力控制系统及方法,包括以下步骤:通过第一阀组控制第一背面冷却气体压力控制器与第一气体管路断开连接,以及控制第一压力控制器连接第一气体管路;通过第二阀组控制第二背面冷却气体压力控制器与第二气体管路断开连接,以及控制第二压力控制器连接第二气体管路;通过第三阀组和第四阀组控制分子泵对两气体管路进行抽气;通过两压力控制器控制两气体管路中的压力;有益效果:通过平衡反应腔体内的压力与气体管路中的压力,避免反应生成物接触静电吸盘的表面,减少了污染源,从而可以减少晶圆缺陷,延长真空腔体维护周期。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 吸盘 氦气 压力 控制系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种静电吸附盘除静电时的氦气压力控制系统,其特征在于,包括:反应腔体,为一圆柱形结构;静电吸盘,设置于所述反应腔体底部;第一气体管路,连接所述静电吸盘;第二气体管路,连接所述静电吸盘;第一压力控制单元,通过一第一阀组连接所述第一气体管路,所述第一压力控制单元包括第一背面冷却气体压力控制器和第一压力控制器;第二压力控制单元,通过一第二阀组连接所述第二气体管路,所述第二压力控制单元包括第二背面冷却气体压力控制器和第二压力控制器;冷却气体源,分别连接所述第一压力控制单元和所述第二压力控制单元;分子泵,通过一第三阀组连接所述第一气体管路,以及通过一第四阀组连接所述第二气体管路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造