[发明专利]一种生产反面凹电极厚膜芯片电阻器的方法

摘要

本发明公开了一种生产反面凹电极厚膜芯片电阻器的方法，所述制备方法包括以下步骤：C2：导体层背面印刷；C1：导体层正面印刷；C4:导体正面印刷；R：印刷和烧结；G1:印刷第一电阻层保护层；LT:镭射切割；G2:印刷第二电阻层保护层；G2‑B:印刷第三电阻层保护层；MK:字码标示。C4连接层由原来的正面印刷改为背面印刷。采用平台吸力印刷机印刷，有效减小阻抗，减少摩擦避免电阻值失效；并且在该生产方法中，晶片电阻器不需要涂银步骤，减少操作工序，节约成本，并且提升了产品的良品率。

主权项

1.一种生产反面凹电极厚膜芯片电阻器的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤C2：导体层背面印刷：将需要印刷的导体的形状及位置，由网版印刷在基板的背面洞孔上，利用真空泵将油墨吸入洞孔内壁，并达到一定深度；步骤C1：导体层正面印刷：将需要印刷的导体的形状及位置，由网版印刷在基板的正面洞孔上，利用真空泵将油墨吸入洞孔内壁，并达到一定深度；步骤C4:导体正面印刷：由网版通过印刷机在步骤C1完成后的产品的正面电极上印上导体形状和位置；步骤R：印刷和烧结：由网版通过印刷机在基板正面印上所需电阻形状及位置，并且电阻层与步骤C1中印刷的导体层搭接，然后将导体经过850°的炉子进行烧结；步骤G1:印刷第一电阻层保护层：由网版通过印刷机在步骤R完成后的半成品上印上电阻层保护层；所述第一电阻层保护层覆盖在步骤R的电阻层上；步骤LT:镭射切割：在步骤G1完成后的电阻位置处进行镭射切割；步骤G2:印刷第二电阻层保护层：由网版通过印刷机在步骤LT完成后的半成品上印上第二电阻层保护层；所述第二电阻层保护层覆盖在步骤G1的第一电阻层保护层上；步骤G2‑B:印刷第三电阻层保护层：由网版通过印刷机在步骤G2完成后的半成品的背面印上第三电阻层保护层；所述第三电阻层保护层覆盖在步骤G2的半成品的背面的第二电阻层保护层上；步骤MK:字码标示：由网版通过印刷机在步骤G2‑B完成后的产品背面上印刷上字码标示；步骤电镀：对颗粒状的半成品晶片电阻器表面先进行镀镍，然后再镀锡；得到成品晶片电阻器；测试包装：将若干成品电阻器逐一进行阻值测定，测试合格后进行包装。