[发明专利]利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法在审
| 申请号： | 201810080249.6 | 申请日： | 2018-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN110092350A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 丛琳;赵伟;张金;蔡裕谦;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其包括将一碳纳米管复合膜覆盖在一形成有二维纳米材料的基底的表面，去除所述基底后形成一二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构及将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构转移至所述目标基底的表面，最后去除所述碳纳米管复合膜，从而实现二维纳米材料的转移。与现有技术相比，本发明提供的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，干净、不会引入其它杂质，转移后的二维纳米材料几乎无破损、完整度高。 | ||
| 搜索关键词： | 二维纳米材料 碳纳米管复合膜 复合结构 基底 去除 碳纳米管膜 纳米材料 目标基 完整度 破损 引入 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二维纳米材料；提供一碳纳米管复合膜，将所述碳纳米管复合膜覆盖于所述第一基底生长有二维纳米材料的表面，所述碳纳米管复合膜包括一碳纳米管膜结构和形成于该碳纳米管膜结构一表面的纳米材料，所述碳纳米管膜结构的另一表面与所述二维纳米材料接触；去除所述第一基底，所述二维纳米材料与所述碳纳米管复合膜形成一二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构；提供一目标基底，将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构转移至所述目标基底的表面，且所述目标基底与所述二维纳米材料接触；去除所述碳纳米管复合膜，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面。
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