[发明专利]利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法

权利要求书

1.一种利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其具体包括以下步骤：

提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二维纳米材料；

提供一碳纳米管复合膜，将所述碳纳米管复合膜覆盖于所述第一基底生长有二维纳米材料的表面，所述碳纳米管复合膜包括一碳纳米管膜结构和形成于该碳纳米管膜结构一表面的纳米材料，所述碳纳米管膜结构的另一表面与所述二维纳米材料接触；

去除所述第一基底，所述二维纳米材料与所述碳纳米管复合膜形成一二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构；

提供一目标基底，将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构转移至所述目标基底的表面，且所述目标基底与所述二维纳米材料接触；

去除所述碳纳米管复合膜，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面。

2.如权利要求1所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述碳纳米管膜结构为一自支撑结构，由至少两层碳纳米管膜交叉层叠设置而成。

3.如权利要求2所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连且沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向平行于所述碳纳米管膜结构的表面，相邻碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向形成一夹角α，0°<α≤90°。

4.如权利要求1所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述纳米材料为惰性金属、金属氧化物、半导体氧化物及氮化物中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述碳纳米管复合膜具有多个微孔，所述多个微孔从所述碳纳米管复合膜的厚度方向贯穿该碳纳米管复合膜。

6.如权利要求1所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述纳米材料将碳纳米管膜结构中的相邻的碳纳米管固定在一起。

7.如权利要求1所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述纳米材料的厚度为10纳米～100纳米。

8.如权利要求1所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，去除所述第一基底后，进一步将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构放置于一清洗液漂洗。

9.如权利要求8所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构转移至所述目标基底的表面具体包括以下步骤：

将所述目标基底插入所述清洗液中；

利用所述目标基底从清洗液中捞起所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构，使所述目标基底与所述二维纳米材料贴合；

干燥所述目标基底及该目标基底表面的二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构。

10.如权利要求1所述的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述去除所述碳纳米管复合膜的方法为用镊子夹取所述碳纳米管复合膜的一侧而撕下所述碳纳米管复合膜。