[发明专利]一种制备高开关比TaOx阻变随机存储器的方法在审
| 申请号： | 201810069096.5 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108376737A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王伟;高磊雯;贺洋 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备高开关比TaOx阻变随机存储器的方法，包括以下步骤：1)选用低阻的P型硅作为基片，对基片进行清洗和干燥处理；2)通过直流反应磁控溅射法在步骤1)所得基片上沉积TaOx阻变层；3)在步骤2)所得TaOx阻变层上通过磁控溅射法沉积Ag电极，得到存储器基体；4)对步骤3)所得到的存储器基体进行退火处理提高TaOx阻变层的含氧量及改善其结晶程度，得到高开关比TaOx阻变随机存储器。本发明通过直流反应磁控溅射结合氧气退火的方式获得TaOx阻变层，在施加偏压测试时，能够使阻变随机存储器的漏电电流显著减小，开关比显著提升，不易发生永久性击穿，循环周次增加。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存储器 开关比 阻变层 存储器 沉积 制备 直流反应磁控溅射法 直流反应磁控溅射 退火 磁控溅射法 永久性击穿 干燥处理 漏电电流 退火处理 含氧量 循环周 电极 低阻 减小 氧气 清洗 施加 测试 | ||
【主权项】：
1.一种制备高开关比TaOx阻变随机存储器的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选用低阻的P型硅作为基片，对基片进行清洗和干燥处理；2)通过直流反应磁控溅射法在步骤1)所得基片上沉积TaOx阻变层；3)在步骤2)所得TaOx阻变层上通过磁控溅射法沉积Ag电极，得到存储器基体；4)对步骤3)所得到的存储器基体进行退火处理提高TaOx阻变层的含氧量及改善其结晶程度，得到高开关比TaOx阻变随机存储器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810069096.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
