[发明专利]平面型AlGaN紫外探测器阵列结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种平面型AlGaN紫外探测器阵列结构及其制作方法，该结构包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下接触层、吸收层、阻挡层和上接触层，在上接触层上设置有延伸至下接触层的离子注入区，在离子注入区内注入He或B离子后形成电阻隔离区，电阻隔离区分隔形成的紫外线探测器像元阵列与电阻隔离区位于同一平面上；紫外探测器像元阵列的上表面设置有上电极，在上接触层上还设置有延伸至下接触层的沟槽，沟槽内形成有延伸至上接触层表面的下电极。本发明可以省略台面型AlGaN紫外探测器阵列制作中工艺要求较高的钝化步骤，从而可以降低工艺要求，提高互连集成的成品率。

主权项

1.一种平面型AlGaN紫外探测器阵列结构，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下接触层、吸收层、阻挡层和上接触层，在所述上接触层上设置有延伸至所述下接触层的离子注入区，在所述离子注入区内注入He或B离子后形成电阻隔离区，所述电阻隔离区分隔形成的紫外线探测器像元阵列与所述电阻隔离区位于同一平面上；所述紫外探测器像元阵列的上表面设置有上电极，在所述上接触层上还设置有延伸至所述下接触层的沟槽，所述沟槽内形成有延伸至所述上接触层表面的下电极。