[发明专利]一种掩膜版及其制备方法在审
| 申请号： | 201810043444.1 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108563098A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 白金超;郭会斌;刘明悬;韩笑;丁向前;宋勇志 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜版及其制备方法，该掩膜版包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。通过在至少紧邻第一遮光膜层的相对两侧设置滤光膜层，可以使第一遮光膜层的相对两侧的曝光量减少，避免通过第一曝光结构形成的图形出现过曝光现象，从而使对曝光量要求不同的待形成图形可以通过设置有第一曝光结构和第二曝光结构的一道掩膜版来形成，以简化制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光结构 遮光膜层 掩膜版 滤光膜层 相对两侧 曝光量 基板 制备 简化制备工艺 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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