[发明专利]一种用于相变材料GeSbTe的化学机械抛光液在审
| 申请号： | 201810037148.0 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN108129991A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王良咏;徐志国;潘忠才;李燕军 | 申请（专利权）人： | 浙江晶圣美纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C23F3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 312369 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于相变材料GeSbTe的化学机械抛光液，包含氨型纳米二氧化硅磨料、氧化剂、水溶性聚合物表面保护剂、氨基酸类有机添加剂和水性介质。本发明所述化学机械抛光液适用于相变材料GeSbTe的化学机械抛光工艺，抛光速率高，达到200nm/min，GeSbTe/SiO2抛光选择比高，达到4000:1，且无抛光腐蚀缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 化学机械抛光液 相变材料 化学机械抛光工艺 纳米二氧化硅磨料 水溶性聚合物 氧化剂 表面保护剂 抛光选择比 有机添加剂 氨基酸类 腐蚀缺陷 水性介质 抛光 无抛光 | ||
【主权项】：
一种用于相变材料GeSbTe的化学机械抛光液，其特征在于：包含氨型纳米二氧化硅磨料、氧化剂、水溶性聚合物表面保护剂、氨基酸类有机添加剂和水性介质；其中，氨型纳米二氧化硅磨料的重量百分含量以抛光液的总重量为基准计为0.1~5wt.%，优选0.5~3wt.%；氧化剂的重量百分含量以抛光液的总重量为基准计为0.01~5wt.%，优选0.5~3wt.%；水溶性聚合物表面保护剂的重量百分含量以抛光液的总重量为基准计为0.0001~0.1wt.%，优选0.0001~0.05wt.%；氨基酸类有机添加剂的重量百分含量以抛光液的总重量为基准计为0.0001~0.5wt.%，优选0.01~0.5wt.%；其余为水性介质。
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