[发明专利]一种利用导电原子力显微镜装置检测薄膜忆阻特性的检测系统及方法在审
| 申请号： | 201810011583.6 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108362959A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 裴艳丽;李亚;储金星 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R1/067;G01Q60/40 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子的技术领域，更具体地，涉及一种利用导电原子力显微镜装置检测薄膜忆阻特性的检测系统及方法。一种利用导电原子力显微镜装置检测薄膜忆阻特性的检测系统，其中，测试样品的结构仅包括导电衬底和阻变介质层。由于导电原子力显微镜的探针半径通常为20nm左右，因此本发明可以用来检测纳米级尺寸微小电极下器件特性。增加导电原子力显微镜的限流功能，可以检测不同限流下的忆阻特性。进一步利用导电原子力显微镜的扫描功能，可以探测薄膜阻变特性的均匀性；该测试方法提供了一种便捷的薄膜阻变特性检测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 导电原子力显微镜 薄膜 检测系统 装置检测 阻变特性 检测 阻变介质层 测试样品 器件特性 扫描功能 探测薄膜 微小电极 均匀性 纳米级 衬底 导电 探针 限流 微电子 测试 | ||
【主权项】：
1.一种利用导电原子力显微镜装置检测薄膜忆阻特性的检测系统，其特征在于，测试样品的结构仅包括导电衬底和阻变介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810011583.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
