[发明专利]p型SiC外延晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201780070214.8 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109937468A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 石桥直人;深田启介;坂东章 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;C30B25/16;C30B29/36;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种p型SiC外延晶片的制造方法，具有设定原料气体中的C元素与Si元素的比率即投入原料C/Si比的工序；以及在上述原料气体、分子内包含Cl的Cl系气体以及分子内包含Al和C的掺杂剂气体存在的成膜气氛下在基板上形成p型SiC外延膜而得到Al掺杂剂浓度为1×1018cm‑3以上的p型SiC外延晶片的工序，上述投入原料C/Si比基于包含上述掺杂剂气体所含的C元素的成膜气氛中的C元素与Si元素的比率即总气体C/Si比来设定，上述投入原料C/Si比与上述总气体C/Si比不同，上述投入原料C/Si比为0.8以下。 | ||
| 搜索关键词： | 外延晶片 掺杂剂 成膜气氛 原料气体 外延膜 基板 制造 | ||
【主权项】：
1.一种p型SiC外延晶片的制造方法，是Al掺杂剂浓度为1×1018cm‑3以上的p型SiC外延晶片的制造方法，该制造方法具有：设定原料气体中的C元素与Si元素的比率即投入原料C/Si比的工序；以及在所述原料气体、分子内包含Cl的Cl系气体以及分子内包含Al和C的掺杂剂气体存在的成膜气氛下，在基板上形成p型SiC外延膜，得到Al掺杂剂浓度为1×1018cm‑3以上的p型SiC外延晶片的工序，该制造方法还具有子工序，所述子工序中，基于包含所述掺杂剂气体所含的C元素的所述成膜气氛中的C元素与Si元素的比率即总气体C/Si比，来设定所述投入原料C/Si比，所述投入原料C/Si比与所述总气体C/Si比不同，所述投入原料C/Si比为0.8以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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