[发明专利]辊到辊原子层沉积设备和方法在审

专利信息
申请号: 201780020902.3 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN108884567A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 克里斯托弗·S·莱昂斯;比尔·H·道奇;约瑟夫·C·斯帕尼奥拉;格伦·A·杰里;艾美特·R·戈亚尔;罗纳德·P·斯万松;詹姆斯·N·多布斯 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: C23C16/54 分类号: C23C16/54;C23C16/455
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 梁晓广;车文
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种方法。该方法可包括使基底的第一表面上的第一边缘区域与第一支撑辊接合;使基底的第一表面上的第二边缘区域与第二支撑辊接合;在第一支撑辊和第二支撑辊之上传送基底;重复下列步骤序列以在基底上形成薄膜:(a)使基底暴露于第一前体;(b)在将基底暴露于第一前体之后将反应性物质供应给基底;以及将蒸气沉积在薄膜上以在薄膜上形成涂层。
搜索关键词: 基底 支撑辊 薄膜 第一表面 接合 前体 原子层沉积设备 第二边缘区域 第一边缘区域 反应性物质 步骤序列 蒸气沉积 暴露 传送 重复
【主权项】:
1.一种方法,包括:使基底的第一表面上的第一边缘区域与第一支撑辊接合,其中所述第一支撑辊能够在轴的第一端部上旋转,并且其中所述基底的长度基本上大于所述基底的宽度;使所述基底的所述第一表面上的第二边缘区域与第二支撑辊接合,其中所述第二支撑辊能够在所述轴的与其所述第一端部相反的第二端部上旋转,并且其中位于所述第一辊与所述第二辊之间并且构成所述基底的宽度的至少约50%的中心区域不受辊支撑;在所述第一支撑辊和所述第二支撑辊之上传送所述基底;重复下列步骤序列多次,以便足以在所述基底上形成薄膜:(a)使所述基底暴露于第一前体;(b)在将所述基底暴露于所述第一前体之后将反应性物质供应给所述基底以与所述第一前体反应;其中所述薄膜作为所述第一前体与所述反应性物质的反应产物形成;以及将蒸气沉积在所述薄膜上以在所述薄膜上形成涂层。
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