[发明专利]有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示设备、以及制造有机发光二极管显示基板的方法在审
| 申请号： | 201780001104.6 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109923675A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘凤娟;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管显示基板。有机发光二极管显示基板包括基底基板和基底基板上的辅助阴极。辅助阴极包括透明导电子层和位于透明导电子层的远离基底基板的一侧的金属导电子层。金属导电子层基本上位于子像素间区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 有机发光二极管 导电子层 显示基板 基底基板 辅助阴极 子像素 有机发光二极管显示设备 金属 子像素区域 透明 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管显示基板，包括：基底基板；和辅助阴极,其位于所述基底基板上；其中，所述辅助阴极包括透明导电子层和位于所述透明导电子层的远离所述基底基板的一侧的金属导电子层；并且所述金属导电子层实质上位于所述子像素间区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780001104.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
